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“碳中和”趨勢不斷推動，第三代半導體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)在近些年不斷“出圈”。2021年，這些第三代半導體廠商，比如SiC廠商有泰科天潤、同光晶體、天域半導體、世紀金光、基本半導體、芯聚能、南砂晶圓、瞻芯電子等獲得融資，GaN廠商有GaN Systems、Transphorm、IVWorks、VisIC、氮矽科技、鎵未來、芯元基、芯冠科技等迎來市場上的融資熱潮。

功率半導體產業發展的核心驅動力是能源轉換革命。用電需求的提升與低碳環保的需求，讓更智慧、更高效的能源生產、傳輸、配送、儲存和使用方式成為后摩爾時代的剛需。第三代半導體SiC和GaN將在可循環的高效、高可靠性能源系統中起到至關重要的作用。

受益于新能源革命，光伏儲能、新能源汽車以及工業自動化等下游應用的多點爆發，使功率半導體行業迎來了高景氣周期。日前，由TrendForce集邦咨詢主辦的“化合物半導體新應用前瞻分析會”上，據集邦咨詢預測，2025年全球功率分立器件及模塊市場規模將達到274億美金，其中寬禁帶半導體SiC/GaN市場份額將從2020年的3%擴大到2025年的17%。細分來看，全球SiC功率市場規模將從2020年的6.8億美元增長至2025年的33.9億美元，其中新能源汽車(主逆變器/OBC/DC-DC)將成為主要驅動力，或在2025年占據62%市場份額。全球GaN功率市場規模預計將從2020年的4800萬美元增長到2025年的13.2億美元，CAGR達94%。

圖注：2020-2025年SiC功率市場規模變化和應用市場占比。

圖注：2020-2025年GaN功率市場規模變化和應用市場占比。

Trendforce集邦咨詢的化合物半導體分析師龔瑞驕指出，2019年中國寬禁帶半導體(功率+射頻)投資規模僅有263億人民幣，2020年達到了709億人民幣，另外從多家企業得到融資的情況也反饋出市場對這個領域的看好。

SiC產業加速垂直整合，大廠提前鎖定襯底產能

當前SiC產業正在加速進行垂直一體化整合，特別是對SiC襯底的爭奪。羅姆、安森美、STM等器件大廠都在向上游延伸，涉足材料領域。

圖注：SiC并購/擴展潮中，大廠提前鎖定襯底產能

以6英寸SiC晶圓為例，襯底的價值約占一半，對供應鏈、技術、專利壁壘的要求很高。龔瑞驕表示，“SiC襯底具有極高的產品附加值，另外其制程技術復雜，它的晶體生長速度也非常緩慢，是SiC晶圓產能的關鍵制約點。未來我們認為取得SiC襯底資源將是進入下一代電動車功率器件的入場門票。”

國際大廠在SiC方面的布局早已“蓄謀已久”。例如ST在2019年12月2日完成對瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整體收購，Norstel并購案總價為1.375億美元。

臺系廠商加碼GaN制程研發，欲再造代工輝煌

GaN功率市場以GaN-on-Si、GaN-on-Sapphire和垂直GaN器件形式存在，目前應用最廣泛的是GaN-on-Si。GaN產業鏈中外延環節至關重要，目前出現了很多第三方外延片供應商，例如英國IQE，日本NTT-AT以及國內晶湛半導體都處于領先地位。但值得注意的是，目前整個市場絕大部分外部產能仍然掌握在臺積電這種“外延+器件“深度綁定的代工廠手中。另外目前臺系廠商正積極投入到GaN制程研發上，試圖復制硅晶圓代工上的成功。

圖注：Navitas是GaN消費市場最大贏家

Navitas是GaN消費市場領域最大玩家，目前已與全球頂級手機OEM廠商及PC設備制造商展開合作，包括戴爾、聯想、小米、OPPO等。老牌電源芯片廠PI則通過收購Velox并利用其GaN-on-Sapphire技術進入該市場。國內廠商英諾賽科今年高低壓產品出貨量大幅增加，另外專注于低壓器件的EPC公司發展也不錯。

隨著產品集成度的提升，目前GaN產業呈現IDM與垂直分工并存局面。IDM中，除了英諾賽科等極少數的初創企業以外，以傳統功率半導體大廠為主，他們會更多的考量產品的成熟度、成本等因素。Fabless則更專注于產品的特色化設計，基本上都是初創企業，目前已成為市場增長的關鍵推動力。

電動車市場應用：SiC成主流趨勢，GaN小批量滲透

自SiC二極管首次商業化以來、SiC功率市場一直由供電應用推動，直到其2018年首次應用于特斯拉主逆變器后，汽車逐漸成為殺手級應用。目前全球汽車市場正將數十億美金投向SiC，以期待提升電動汽車的性能，例如延長續航里程、縮短充電時間等。

據Trendforce集邦咨詢預估，隨著電動車滲透率不斷升高以及整車架構朝高壓化方向邁進，保守估計2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓的需求量將達到169萬片，其中絕大部分應用將會體現在主逆變器上。

圖注：新能源汽車市場對SiC晶圓需求

龔瑞驕表示，“影響SiC上車的關鍵因素是SiC實現的電池節約成本和SiC生產成本之間的對抗。從目前來看，進展是令人滿意的，SiC已經被放量使用在OBC和DC-DC組件中，但在主逆變器中應用尚不成熟，現階段量產上車的主要是特斯拉、比亞迪和現代。基于這種情況，頭部的SiC器件廠商正與Tier1及車企展開緊密合作，以推進上車進程。”

受限于可靠性等問題，GaN上車之路則較為艱難，但TI、GaN Systems、安世等廠商已經陸續推出了相應產品，并與車企展開深入合作，預計近兩年GaN將小批量滲透到低功率OBC、DC-DC中。而除了動力系統應用以外，GaN還將在激光雷達、車載信息娛樂系統等組件中有所體現。

800V SiC逆變器將是下一代高效電動車的核心部件。龔瑞驕表示，“電動車市場對于延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈。以800V平臺搭載進程來看，保時捷Taycan是第一個搭載800V高壓平臺車型，但出于對整車可靠性的考慮，并未采用SiC技術，而是沿用了日立IGBT模塊。今年基于現代E-GMP平臺構建的兩款車是第一批實現800V SiC平臺的車型，而明年上市的小鵬G9則是國內首款基于800V SiC平臺車型。”

最后，除了持續擴充產能外，第三代半導體將朝8英寸晶圓及新封裝技術發展。當前全球SiC襯底量產進程從6英寸向8英寸邁進，中國是從4英寸向6英寸邁進。為積極推動SiC襯底的進展，中國大陸正積極投資SiC襯底項目，其中天科合達、天岳先進、同光晶體、爍科晶體等廠商都取得了不錯的進展。在汽車高度電氣化和智能化的趨勢下，SiC將迎來大規模的上車應用。GaN功率器件被廣泛應用于AC/DC和DC/DC電源轉換中，市場主要驅動力來自消費電子，目前已有多家手機OEM及PC設備商推出GaN快速充電器。新能源汽車/數據中心等領域也將是GaN未來重點發展方向。



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